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SiCパワー半導体向け低温プロセス技術による、性能向上とコスト削減の実現
株式会社アビット・テクノロジーズは、プラズマ技術を用いた半導体デバイスの緻密化処理事業を展開しています。特に、次世代パワー半導体として注目されるSiC（炭化ケイ素）デバイスの製造プロセスにおける課題解決を目指し、自社開発の低温プロセス技術を提供しています。従来の高温処理が引き起こす性能劣化や歩留まり低下の問題を解決し、顧客である半導体メーカーのデバイス性能向上、製造コスト削減、開発期間短縮に貢献します。収益は、成膜技術の共同開発受託、装置の開発・販売、およびライセンス事業から得られます。
ターゲット顧客
メインターゲットは「SiCパワー半導体を開発・製造する半導体デバイスメーカー」。具体的には、ローム、東芝デバイス＆ストレージ、三菱電機、富士電機、デンソーなどの国内大手や、STマイクロエレクトロニクス、インフィニオン・テクノロジーズなどのグローバルメーカーが対象となる。また、新しい構造のデバイスを研究するスタートアップや大学・公的研究機関も顧客候補です。
提供価値
独自の高密度プラズマを利用した300～400℃の低温プロセス技術により、従来の高温処理（800℃以上）に起因するSiCパワー半導体の課題を解決します。 1. デバイス性能の向上: 高温によるゲート界面の劣化を抑制し、SiC本来の性能を最大限に引き出すことで、デバイスの性能と信頼性を向上させます。 2. 製造コストの削減: 欠陥発生を抑えて歩留まりを改善し、高価なSiCウェハからより多くの良品を生産可能にします。基板製造コストの2～3割削減が期待されます。 3. 開発期間の短縮: プロセスの再現性が高まることで開発の手戻りを削減し、研究開発から量産へのスムーズな移行を支援します。
収益モデル
成膜技術の共同開発受託、及び自社開発した高密度ラジカル処理装置の開発・販売・ライセンス事業を展開しています。
