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「SiCを超える低損失」を「シリコン並みの低コスト」で実現する共創型ビジネスモデル
株式会社Flosfiaは、京都大学発の技術を基盤に、革新的な半導体材料「コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）」を用いたパワーデバイスを開発・製造・販売する。電力損失を劇的に削減するデバイスを、独自の低コスト製造技術「ミストドライ®法」によって安価に提供することを目指す。これにより、エネルギー、プロセス、マテリアルの環境負荷を低減する「半導体エコロジー®」の実現を掲げている。事業モデルはデバイスの物販に加え、製薬業界を参考に、大手企業とリスクとリターンを共有する「共同モデル事業」という共創モデルを構築している点が特徴。
ターゲット顧客
電気自動車（EV）のインバーターや急速充電器、データセンターのサーバー用電源、工場の産業用モーターなどを開発・製造する企業のエンジニアおよび製品企画担当者。具体的には、デンソー（車載）、安川電機（ロボット）、ダイキン工業（エアコン）、三菱重工業（産業機器）など、各分野の大手メーカーと提携し、共同開発を進めている。
提供価値
顧客が抱える既存半導体（Si, SiC）の「物理的・コスト的な限界」という2つのペインを同時に解決する価値を提供する。 1.【物理的限界の打破】SiCを上回る圧倒的な低電力損失により、製品の発熱を劇的に抑制。これにより冷却システムの大幅な簡素化・小型化が可能となり、顧客製品の「圧倒的な小型化・軽量化」と設計自由度の向上を実現する。 2.【コスト的限界の打破】独自技術「ミストドライ法」により、高価なSiC基板ではなく安価なサファイア基板上に高品質な結晶膜を形成可能。これにより、高性能なパワー半導体をSiCよりも大幅に安く製造できる可能性を提供し、これまでコストの壁で次世代半導体の採用を断念していた幅広い市場への扉を開く。
収益モデル
現在の収益モデルは、開発した「GaO®パワーデバイス」（ダイオード製品など）の物販が中心。これに加え、コア技術である「ミストドライ®法」を用いた成膜ソリューション事業も展開している。将来的にはトランジスタなど製品ラインナップの拡大や、海外ファウンドリとの提携によるグローバル展開を計画。また、知的財産を基盤とし、製薬業界のビジネスモデルを参考に、提携企業とリスクとリターンを共有する共創モデルを構築している。
