GaNパワー半導体関連の注目スタートアップ特集

次世代のパワー半導体材料として注目を集めるGaN（窒化ガリウム）は、従来のシリコンと比較して優れた電力変換効率や高速動作特性を持ち、脱炭素社会の実現に向けた省エネルギー技術の鍵とされています。しかし、GaNパワー半導体の普及に向けては、製造コストの低減と結晶品質の向上が大きな課題です。特に、安価なシリコンなどの異種基板上にGaN結晶を成長させる「ヘテロエピタキシャル成長」においては、材料間の格子定数の違いから生じる歪みや欠陥をいかに抑制するかが技術的な障壁となっています。

この課題に対し、従来のバッファ層による緩和策とは異なる、物理的な変態現象を応用した新しいアプローチが登場しています。基板と薄膜の間に特殊な中間膜を介在させることで、応力を動的に吸収・緩和し、高品質な単結晶薄膜の形成を可能にする技術は、デバイスの高性能化と低コスト化を両立するブレイクスルーとして期待されています。

本特集では、この結晶成長における格子不整合の課題を克服し、次世代半導体の社会実装を加速させる革新的な技術を持つスタートアップを紹介します。独自の結晶成長制御技術により、高品質かつ低コストな半導体製造プロセスの実現に挑む企業の取り組みとその技術的アプローチに迫ります。