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CATALYST 特集

SiCパワー半導体関連の注目スタートアップ特集

脱炭素社会の実現に向けて需要が急増するSiC(炭化ケイ素)パワー半導体分野の注目スタートアップを紹介します。高品質なSiCウェハの製造技術や、デバイスの性能向上に寄与する革新的な製造プロセス技術など、次世代パワー半導体の普及を支える最先端テクノロジーを持つ企業をまとめています。

掲載 3最終更新: 2026年6月11日

次世代のパワー半導体材料として注目を集めるSiC(炭化ケイ素)は、従来のシリコンに比べて優れた電力効率や耐熱性を有しています。しかし、その社会実装や普及に向けては、製造プロセスにおける結晶欠陥の抑制や、極めて高い温度を必要とする処理工程に伴うコスト、さらにはデバイスの信頼性確保といった技術的課題が依然として存在します。

これらの課題を解決するため、従来の製造手法にとらわれない革新的なアプローチを試みるスタートアップが台頭しています。結晶成長のプロセスそのものを根本から見直す手法や、熱ダメージを抑える独自のプラズマ技術、さらには異種材料間の接合をスムーズにする特殊な中間膜技術など、各社が独自の強みを発揮しています。

本特集では、SiCパワー半導体の製造効率や品質を飛躍的に高める可能性を秘めた、最先端の技術を持つスタートアップ3社を紹介します。それぞれの技術的特徴や他社との違い、そして次世代半導体産業にもたらすインパクトについて解説します。

1

株式会社UJ-Crystal

パワー半導体を通じて低炭素社会の実現に貢献する

主流の昇華法とは異なり、原理的に欠陥が少ない結晶を製造できる「溶液成長法」をコア技術とする企業です。さらに、炉内の状態を可視化・最適化するAI・デジタルツイン技術を組み合わせることで、開発期間の大幅な短縮を実現しています。この2つの技術の融合により、高品質、低コスト、迅速な開発スピードを同時に達成し、市場において高い競争優位性を築いています。

株式会社UJ-Crystalの詳細データを見る
2

株式会社アビット・テクノロジーズ

半導体プロセスに革新をもたらすことを目指す研究開発型ベンチャー企業

独自の高密度プラズマ技術により、SiC半導体製造の低温化を実現する企業です。マイクロ波を直接チャンバーに導入する設計で電力を効率化し、300〜400℃の低温で高密度な水素ラジカルを生成します。これにより、従来は高温処理が必須だった層間絶縁膜の形成プロセスを低温化し、熱ダメージを抑えることで、デバイスの性能と信頼性を大幅に向上させています。

株式会社アビット・テクノロジーズの詳細データを見る
3

株式会社Gaianixx

“多能性®中間膜”で世界をリノベートする

異種材料間の結晶成長における格子不整合を解決する「多能性®中間膜」技術を持つ企業です。基板と薄膜の間に挿入した中間膜が、歪みを駆動力として自ら変形(マルテンサイト変態)し、応力を緩和する「動的格子マッチング」を実現します。この技術により、安価なシリコン基板上でも高品質な単結晶薄膜の形成が可能となり、製造コストの低減に貢献します。

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